大功率LED作為照明光源具有體積小、耗電小、發熱小、壽命長、響應速度快、安全低電壓、耐候性好、方向性好等優點。外罩可用PC管制作，耐高溫達135度.，低溫-45度。大功率LED作為第四代電光源，賦有“綠色照明光源”之稱，具有體積小、安全低電壓、壽命長、電光轉換效率高、響應速度快、節能、環保等優良特性，必將取代傳統的白熾燈、鹵鎢燈和熒光燈而成為21世紀的新一代光源。大功率LED芯片的制造方法歸納如下：①增加發光(guang)的大小 單一(yi)的(de)(de)(de)LED發光區(qu)域和(he)有效(xiao)地增(zeng)加(jia)流(liu)動的(de)(de)(de)電流(liu)量(liang)，通過均勻(yun)分布(bu)層TCL，以達(da)(da)到預期的(de)(de)(de)磁(ci)(ci)通。但是(shi)，簡(jian)單地增(zeng)大發光面積不解決這個問題，散熱問題，不能(neng)達(da)(da)到預期的(de)(de)(de)效(xiao)果和(he)實際應用中的(de)(de)(de)磁(ci)(ci)通量(liang)。②硅底板倒裝法 共(gong)晶焊料(liao)首先，準備(bei)(bei)一(yi)(yi)(yi)個(ge)大的(de)(de)LED面板燈(deng)芯片，并準備(bei)(bei)一(yi)(yi)(yi)個(ge)合適(shi)的(de)(de)尺寸(cun)，在硅(gui)襯底(di)(di)和(he)硅(gui)襯底(di)(di)，使用(yong)金的(de)(de)共(gong)晶釬料(liao)層(ceng)和(he)導(dao)電層(ceng)導(dao)體（超聲(sheng)波(bo)金絲球窩(wo)接頭(tou)），以及使用(yong)所述移動(dong)設備(bei)(bei)的(de)(de)被焊接在一(yi)(yi)(yi)起共(gong)晶焊料(liao)的(de)(de)LED芯片和(he)大尺寸(cun)的(de)(de)硅(gui)襯底(di)(di)。這(zhe)樣的(de)(de)結構更加合理(li)，不僅要考(kao)慮(lv)這(zhe)個(ge)問題，考(kao)慮(lv)到光與(yu)熱的(de)(de)問題，這(zhe)是主流的(de)(de)大功(gong)率 LED生產。
?
③陶瓷板(ban)倒裝法 通用(yong)裝置的(de)(de)(de)晶體結構(gou)的(de)(de)(de)LED面板(ban)(ban)燈芯片的(de)(de)(de)LED芯片的(de)(de)(de)下(xia)一個大的(de)(de)(de)，在(zai)陶(tao)(tao)瓷(ci)板(ban)(ban)和(he)(he)(he)陶(tao)(tao)瓷(ci)基板(ban)(ban)的(de)(de)(de)共晶釬(han)料層和(he)(he)(he)導(dao)電層，在(zai)該區域產生(sheng)的(de)(de)(de)相(xiang)應的(de)(de)(de)引線，焊接(jie)(jie)(jie)電極(ji)中使用(yong)水晶LED芯片和(he)(he)(he)大規(gui)格陶(tao)(tao)瓷(ci)薄(bo)板(ban)(ban)焊接(jie)(jie)(jie)的(de)(de)(de)焊接(jie)(jie)(jie)設備(bei)。這樣(yang)的(de)(de)(de)結構(gou)是(shi)需要(yao)考(kao)慮(lv)的(de)(de)(de)問題，也(ye)是(shi)需要(yao)考(kao)慮(lv)的(de)(de)(de)問題，光，熱(re)，使用(yong)高導(dao)熱(re)陶(tao)(tao)瓷(ci)板(ban)(ban)，陶(tao)(tao)瓷(ci)板(ban)(ban)，散熱(re)效(xiao)果(guo)非常好，價(jia)格也(ye)比較低(di)，更適合為(wei)當前的(de)(de)(de)基本包裝材料和(he)(he)(he)空(kong)間保留給將來的(de)(de)(de)集成電路一體化(hua)。④藍寶石(shi)襯底過渡(du)方法 在藍寶(bao)石襯(chen)(chen)底除去后的(de)(de)PN結(jie)的(de)(de)制(zhi)造商，在藍寶(bao)石襯(chen)(chen)底上生長InGaN芯片(pian)，然后再連接的(de)(de)傳統(tong)的(de)(de)四元材(cai)料，制(zhi)造大(da)型結(jie)構的(de)(de)藍色LED芯片(pian)的(de)(de)下部(bu)電極上，通過(guo)常(chang)規的(de)(de)方法。⑤AlGaInN的(de)碳化硅（SiC）背面光(guang)的(de)方法 美(mei)國(guo)Cree公(gong)司是世(shi)界上唯一(yi)的(de)(de)(de)碳化硅基板的(de)(de)(de)AlGaInN超高亮度LED制(zhi)造商，多年(nian)來生產(chan)(chan)的(de)(de)(de)AlGaInN / SICA芯(xin)片(pian)的(de)(de)(de)架構(gou)不斷完善和(he)增加亮度。由于在P型(xing)(xing)和(he)N型(xing)(xing)電極分別(bie)位于該芯(xin)片(pian)的(de)(de)(de)頂部和(he)底部，使用(yong)一(yi)個(ge)單一(yi)的(de)(de)(de)引線(xian)鍵合，較好的(de)(de)(de)相容(rong)性，易用(yong)性，因而(er)成為主流產(chan)(chan)品(pin)的(de)(de)(de)發(fa)展AlGaInNLED另一(yi)個(ge)。
