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制造大功率LED芯片記住這幾種方法就很了不起了

文章出處：新聞資訊 責任編(bian)輯：東莞市閩光電(dian)子科技(ji)有(you)限公司 發表(biao)時間：2020-10-29
　　?　　大功率LED在油田、石化、鐵路、礦山、部隊等特殊行業、舞臺裝飾、城市景觀照明、顯示屏以及體育場館等，特種工作燈具中的具有廣泛的應用前景。
?大功率LED?
制(zhi)造大功率LED芯(xin)片的(de)幾種方法：
　　①大尺寸法。通(tong)過增(zeng)大單體(ti)LED的(de)有效發(fa)光面積和尺寸，促使流(liu)經TCL層的(de)電(dian)流(liu)均勻分布，以達(da)到(dao)(dao)預期(qi)的(de)光通(tong)量(liang)。但是，簡單地增(zeng)大發(fa)光面積無法解(jie)決散(san)熱問(wen)題(ti)和出光問(wen)題(ti)，并不能達(da)到(dao)(dao)預期(qi)的(de)光通(tong)量(liang)和實際應用效果。

　　②矽(xi)底板倒裝法。首先制(zhi)備(bei)出(chu)(chu)適合共晶(jing)焊(han)(han)接(jie)(jie)的(de)大(da)(da)尺寸LED芯片(pian)，同時制(zhi)備(bei)出(chu)(chu)相應尺寸的(de)矽(xi)底板，并在(zai)矽(xi)底板上制(zhi)作出(chu)(chu)供共晶(jing)焊(han)(han)接(jie)(jie)用的(de)金導電層(ceng)及引出(chu)(chu)導電層(ceng)（超(chao)聲(sheng)金絲(si)球焊(han)(han)點(dian)），再利用共晶(jing)焊(han)(han)接(jie)(jie)設備(bei)將大(da)(da)尺寸LED芯片(pian)與矽(xi)底板焊(han)(han)接(jie)(jie)在(zai)一起。這樣的(de)結(jie)構較為(wei)合理，既考慮(lv)了出(chu)(chu)光問題又(you)考慮(lv)到了散熱問題，這是目前主流的(de)大(da)(da)功(gong)率LED的(de)生產(chan)方式。

　　③陶(tao)(tao)瓷(ci)(ci)底(di)板(ban)(ban)倒裝法。先利用(yong)(yong)LED芯(xin)片(pian)(pian)通(tong)用(yong)(yong)設備(bei)制(zhi)備(bei)出(chu)具有適合共(gong)晶(jing)(jing)焊(han)(han)接(jie)電(dian)(dian)(dian)極結(jie)構的(de)(de)大出(chu)光面積的(de)(de)LED芯(xin)片(pian)(pian)和相應的(de)(de)陶(tao)(tao)瓷(ci)(ci)底(di)板(ban)(ban)，并(bing)在陶(tao)(tao)瓷(ci)(ci)底(di)板(ban)(ban)上制(zhi)作出(chu)共(gong)晶(jing)(jing)焊(han)(han)接(jie)導(dao)電(dian)(dian)(dian)層及(ji)引出(chu)導(dao)電(dian)(dian)(dian)層，然后利用(yong)(yong)共(gong)晶(jing)(jing)焊(han)(han)接(jie)設備(bei)將大尺寸LED芯(xin)片(pian)(pian)與陶(tao)(tao)瓷(ci)(ci)底(di)板(ban)(ban)焊(han)(han)接(jie)在一(yi)起。這(zhe)樣(yang)的(de)(de)結(jie)構既考慮了出(chu)光問題也(ye)考慮到(dao)了散熱(re)(re)問題，并(bing)且采用(yong)(yong)的(de)(de)陶(tao)(tao)瓷(ci)(ci)底(di)板(ban)(ban)為(wei)高導(dao)熱(re)(re)陶(tao)(tao)瓷(ci)(ci)板(ban)(ban)，散熱(re)(re)效(xiao)果非(fei)常理(li)想，價(jia)格又相對(dui)較低，所以為(wei)目前(qian)較為(wei)適宜的(de)(de)底(di)板(ban)(ban)材(cai)料(liao)，并(bing)可為(wei)將來的(de)(de)積體(ti)電(dian)(dian)(dian)路(lu)一(yi)體(ti)化(hua)封裝預留空間。

　　④藍寶(bao)(bao)石(shi)襯(chen)底(di)過渡法(fa)。按照傳統的(de)InGaN芯片(pian)制造方法(fa)在藍寶(bao)(bao)石(shi)襯(chen)底(di)上(shang)生(sheng)長(chang)出(chu)PN結(jie)后，將(jiang)藍寶(bao)(bao)石(shi)襯(chen)底(di)切除，再連(lian)接上(shang)傳統的(de)四元材料，制造出(chu)上(shang)下電極結(jie)構(gou)的(de)大尺寸藍光(guang)LED芯片(pian)。

　　⑤AlGaInN碳化矽（SiC）背面(mian)出光法。美國(guo)Cree公司(si)是(shi)全球(qiu)唯一采(cai)用(yong)SiC襯底制(zhi)造AlGaInN超高亮度LED的(de)廠家，幾年來其生(sheng)產的(de)AlGaInN/SiCa芯(xin)片結構不斷(duan)改進，亮度不斷(duan)提高。由(you)于P型(xing)和N型(xing)電(dian)極分別(bie)位(wei)于芯(xin)片的(de)底部和頂(ding)部，采(cai)用(yong)單引(yin)線(xian)鍵合(he)，相容(rong)性較(jiao)好，使用(yong)方便，因而成為AlGaInNLED發(fa)展的(de)另一主(zhu)流產品(pin)。
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